芯片技术难在哪里 芯片核心技术有哪些

芯片被称之为微电路、微芯片、集成电路，在电子学中，是一种将电动小型化的方式，通常制造在半导体晶圆表面上。芯片的制造过程非常复杂，包括了芯片设计、芯片制造和芯片封测三大环节，而且所需要花费的时间和成本也很多，最重要的是涉及到多项关键核心技术。接下来小编给大家介绍一下芯片技术难在哪里以及芯片核心技术有哪些。

1.芯片技术难在哪里

首先，芯片的研发周期长，试错成本高，不是砸钱后，十天半个月就会有效果的。芯片试错成本高和排错难度大。互联网做一个app，可以一天出一个版本，试错和修改的成本几乎为零。但是放在芯片上就不行，不算架构设计，从电路设计开始，到投片，最少要半年时间。投片送到工厂加工生产，一般要2个月到3个月。最重要的是一次投片的费用最少也要数十万元，先进工艺高达一千万到几千万。如此高的试错和时间成本对一次成功率的要求极高。所以研发一款商业芯片，在保证大量投入的前提下，一般至少需要一到两年的时间，如果要开发工业领域和商业领域的芯片，这个周期会更长。这也是为什么我们的龙芯17年来投入数十亿，最终也是不了了之的重要原因。

2.芯片核心技术有哪些

制造芯片最关键的技术就在于光刻。光刻就是对半导体晶片表面的掩蔽物进行开孔，主要是为了方便进行杂质的定域扩散。目前极紫外光刻技术EUV和电子束光刻技术是光刻技术发展的趋势，不过，世界上只有荷兰的阿麦斯公司才能生产出最顶尖的EUV光刻机。自从受到美国的芯片制裁政策以后，我国无法购入该光刻机。因此，限制了我国芯片制造，而且阻碍了我国芯片技术的发展，特别是阻断了我国半导体先进制程的研究。除了光刻以外，刻蚀、薄膜、掺杂、化学机械抛光这四个技术也是生产芯片的关键。

刻蚀是半导体制造工艺、微电子芯片制造工艺以及微纳制造工艺中相当重要的一个步骤。刻蚀主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，先将光刻胶进行光刻曝光处理，然后再通过其它的方式实现腐蚀处理掉所需要去除的部分。刻蚀是用物理方法或者是化学方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料，主要目的是在涂胶的硅片上正确的复制掩膜图形。

随着集成电路芯片制造技术的不断发展，芯片特征便是尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也是不断增加。如果想要实现多层布线，晶圆表面必须具备极高的平整度、光滑度和洁净度，化学机械抛光是目前最有效的晶圆平坦化技术。

总而言之，芯片制造最核心的关键技术分别是光刻、刻蚀、薄膜、掺杂、化学机械抛光。