松下：空调（部份产能）从中国迁回日本！目标：日本份额提升4倍！
6月24日消息，据日经亚洲报道，日本电器大厂松下（Panasonic）计划将目前在中国部分生产的家用空调产能转移到日本国内的工厂。
日本松下电器决定将其生产面向日本国内的高能效空调的生产基地，从中国迁至日本滋贺县的草津工厂。对此，该公司表示，这是考虑到高端产品在国内需求的增加以及近期的一系列可能无法预知的问题。
松下将斥资总计 100 亿日元
根据报道，松下公司目前在中国南方广州地区的工厂和日本滋贺县的草津工厂生产面向日本国内使用的高能效产品，但其计划在下一财年将生产线集中到草津工厂。
据悉，除了日本国内对高端产品需求的增加之外，还考虑到了中美关系等带来的不确定性。对此，松下预计此次措施能够减少商品储存成本，并将交货时间缩短到大约四分之一。
而为了应对这一变化，草津工厂计划增加约20%的员工，并推进生产线的自动化。
报道称，根据一份曝光的松下公司公告显示，松下将斥资总计 100 亿日元（约7000万美元）在其主要位于滋贺县草津市的工厂建设新的生产线。
从中国广州转移至日本
松下表示，从2023财年开始，松下将把部分空调的生产从中国广州迁回日本，并最早在2024财年将日本国内生产份额从目前的10%提高到40%。为实现这一目标，松下将在草津工厂安装自动化装配设备，使其产能大约增加两倍。
基于以上计划，松下首先将会将把高端空调和室外压缩机的制造从中国广州转移至日本。从2024财年开始，松下将继续把中端设备的生产迁回日本。而广州工厂将利用闲置产能增加针对中国市场的空调产量。通过重组，松下的目标是更快地交付空调，避免未来因疫情发生的供应链中断以及由此导致的半导体短缺。
松下空调和通风设备公司总裁道浦正治（Masaharu Michiura）表示：“我们将更加积极地响应市场变化，例如建设零能耗厂房。”
松下增长策略
此前，松下制定了2024财年日本空调通风设备以及完整空调系统销售额2900亿日元的目标，比2022财年增长20%。
资料显示，松下空调在全球共有三大生产基地：日本草津松下空调机事业本部、马来西亚松下空调器有限公司、广州松下空调器有限公司。其中，广州松下空调器有限公司成立于1993年6月，由日本松下电器产业株式会社与中国广州万宝集团公司合资兴建，注册资金4190万美元，出资比率松下为68%，万宝电器32%。主要生产家用空调，商用空调，是松下空调在中国的唯一生产基地。2013年时，空调生产规模就已达到350万台/年。目前公司大约3000人。
目前大部分的市场份额以国际品牌为主，包括Wolfspeed、ST、ON、Infineon等。同时，国外车企已与全球领先的SiC芯片企业实现了产能绑定。随着新能源汽车需求的爆发，国内车企或需提前考虑SiC的供给缺口的问题。
相较于美日欧企业完整的产业链，国内碳化硅企业在技术和产能上还存在差距。那么，目前国产碳化硅器件上车进展如何？
有不少下游厂商反馈，车企正在加速导入国产碳化硅衬底、外延片，上下游厂商持续合作以共同改善良率，希望构建本土供应链。
士兰微碳化硅功率器件芯片量产线进展顺利，已具备月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力，预计到今年年底SiC芯片生产能力将提升至6000片/月；士兰 SiC MOSFET芯片性能指标已达到国际先进水平；士兰微用于汽车主驱的碳化硅功率模块已向国内客户送样，争取在今年年底前上车；
三安光电目前有7款产品通过车规级认证并开始逐步出货；
泰科天润的SiC二极管已有多年OBC应用积累，累计出货7kk；
中电科55所SiC MOSFET已搭载到一汽红旗等多家国内车企，装车量达百万辆。今年4月，中电科55所与一汽联合研发的首款750V SiC功率芯片完成流片；
瞻芯电子规划了SiC MOSFET、SBD、驱动IC三大产品线，并先后研发量产了一系列按车用标准设计的产品，其中多款已获车规级认证，并批量“上车”应用；
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此外，斯达半导、华润微、基本半导体、清纯半导体等国产厂商也披露了车规级碳化硅产品进展情况，国产SiC MOSFET单管在OBC和DC-DC已经开始验证测试和小批量生产。
可以看到，在量产上车方面，国内SiC器件厂商也已经开始崭露头角。多家车企及芯片企业表示，经历了多年大投入之后，今年碳化硅功率半导体将正式进入“上车”放量窗口期，产业链企业商业化落地和规模化进程或将提速。
但针对市场规模最大的、投资者更看重的主逆变器领域，由于主逆变器关系到整车和人员的安全，对SiC MOSFET的性能、可靠性要求极高，国产SiC MOSFET还处于早期阶段，短时间内难以看到搭载国产SiC MOSFET的电动汽车上路。
因为汽车对碳化硅材料有非常高的可靠性要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。
但实际上，国产衬底材料近年来的进步十分明显，比如，今年4月博世与天岳先进签署长期协议；5月初英飞凌与两家国内碳化硅材料供应商签订长期供货协议，都在说明国际大厂对国产材料已经表示认同，对国内企业的成本控制将带来帮助。
实际上，除了天岳先进和天科合达外，还有多家中国SiC衬底和外延厂商的产品已经被国际器件厂商所采用，未来将会有更多的国产SiC产品进入汽车供应链，有助于缓解全球SiC供应紧张问题。
有业内人士指出，随着国产SiC衬底材料厂商的发展，国外SiC厂商感受到了一定的危机，据Digitimes报道，为应对来自中国竞争对手的日益激烈的竞争，欧洲、美国SiC衬底供应商对亚洲客户小幅下调价格。
这也从侧面展示了中国市场的巨大潜力，反映出了国产SiC行业的迅速崛起。经过多年的积累和发展，国产SiC在材料和晶圆代工等领域已经展现出了巨大的潜力和前景。
SiC仍是电动汽车制造商未来必须考虑的核心零组件，其当下所面临的困境无非是成本高及可靠性低，而一旦SiC达到性价比的“奇点时刻”，行业将迎来爆发性增长。
其实在车企眼中，碳化硅器件成本高只是一个局部问题，因为在系统层面它反而可以节省成本。
尽管单独看车规级碳化硅芯片的成本有所增加，但使用碳化硅器件节省的电池、被动元器件、冷却系统等系统成本，会超过增加的成本，同时使用效率和用户体验也有明显的提升。这也是未来车规级碳化硅芯片会在需求端持续高速增长的关键原因之一。
国产SiC设备，加速崛起
上文提到，降低碳化硅成本一方面通过技术创新，提高效率和良率；另一方面实现规模化生产；此外，还需要设备、材料的国产化。
SiC产业各环节的技术水平很大程度上受到关键装备直接影响，设备也是决定厂商产能上限的决定性因素之一。
在过去很长一段时间内，国内SiC产业严重依赖进口装备，国内企业起步较晚。近年来，在市场的需求拉动下，国产SiC装备发展迅速，部分“卡脖子”现象得到明显缓解，但许多关键瓶颈有待过关迈坎。
在这一背景下，碳化硅设备产业链也在加速拥抱资本市场。从产业角度出发，如何看待当前国产设备厂商的进展和突破？
伏友文表示，SiC器件产业链中主要包括衬底制备、外延生产、芯片制造、芯片封装等环节，主要工艺有单晶生长、衬底切磨抛、外延生长、掩膜沉积、图形化、刻蚀、注入、热处理、金属化等，共涉及几十种关键半导体装备。由于SiC材料高熔点、高密度、高硬度的特性，在材料和芯片制造过程中，存在一些特殊的工艺控制过程，如物理气相传输法单晶生长、衬底切磨抛加工较慢、外延生长所需温度极高且需要具备高良率目标、芯片制造过程需要高温高能设备等，这些均需要增加一些专用的设备作为支撑，如衬底材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，外延生长炉、芯片制造中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。
长晶设备：高质量的SiC单晶制备是整个产业链最为重要的一环，它直接影响了SiC器件的性能、可靠性和制造成本。
根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验室等国产设备企业已研制出4-6英寸SiC外延生长设备，并且在成膜质量、生产率、稳定性、重复性和运行维护性等指标上实现了突破，缩短了与国外设备之间的差距，有力地支撑了国产碳化硅外延的大规模量产。
从整个产业链条来看，长晶设备是目前SiC国产化程度最高的环节。
碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在，未来国产SiC芯片扩产也会受到关键设备的牵制。
由于SiC材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺——包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。
